Jahresbericht 1994

Physikalische und Experimentelle Grundlagen

Die meisten elektronischen Bauelemente, die heute in Mikroprozessoren verwendet werden, basieren auf einem zwei-dimensionalen Elektronengas (2DEG), das sich an der nahezu perfekten Grenzfläche zwischen zwei Halbleiter-Materialien ausbildet. In einem solchen 2DEG sind die Elektronen in einer Raumrichtung auf einer quantenmechanischen Längenskala eingesperrt, während sie sich entlang der Grenzfläche praktisch frei bewegen können. Die mögliche Manipulation eines solchen 2DEG aus der dritten Raumrichtung beispielsweise mittels elektrischer Felder begründet den prinzipiellen Vorteil in der Schaltwirkung dieser Halbleiter-Strukturen gegenüber herkömmlichen volumenartigen Bauelementen. Gleichzeitig zeigen Systeme mit reduzierter Dimensionalität fundamental neue physikalische Eigenschaften, die be-sonders bei tiefen Temperaturen und hohen Magnetfeldern auftreten. So wurde die Ent-deckung des quantisierten Halleffekts mit dem Nobelpreis ausgezeichnet (von Klitzing, 1985).

In der modernen Halbleiterphysik werden diese 2DEGs nun weiter in ihrer Dimensionalität reduziert, um sogenannte Quantendrähte (ein-dimensionale Elektronengase) und Quantenpunkte (null-dimensionale Elektronengase) herzustellen. Auch hier gibt es bereits erste experimentelle Beobachtungen völlig neuer physikalischer Phänomene, die nur an diesen niedrig-dimensionalen Elektronengasen auftreten. So kann man einen Quantenpunkt auffassen als ein Atom, bei dem das Potential für die Elektronen sowie die Zahl der Elektronen pro Atom beispielsweise durch ein externes elektrisches Feld durchgestimmt werden können. In gewisser Weise erwartet man hier eine "Wiedergeburt der Atomphysik", wobei man den Weg durch das Periodensystem der Elemente an einem einzigen physikalischen Objekt studieren kann, das durch externe Parameter gezielt steuerbar ist.

An unserer Forschungsgruppe an der LMU werden solche grundlegenden physikalischen Fragen an niedrigdimensionalen Elektronensystemen und ihre oftmals technologische Lösung detailliert untersucht. Dabei stehen Halbleiter-Strukturen auf Siliziumbasis sowie moderne III-V Halbleiter (GaAs-AlGaAs, InAs-AlSb) im Mittelpunkt des Interesses. In unserer Gruppe werden die Halbleiter in einem Reinraum mit vielfältigen technologischen Möglichkeiten im Längenbereich bis hinunter zu wenigen Nanometern strukturiert und für die dann folgenden Experimente mit Kontakten versehen. Dabei kommen verschiedene Lithographieverfahren zum Einsatz, die es erlauben, sehr flexibel kleinste Strukturgrößen auf den Halbleiteroberflächen zu realisieren.

Auf der experimentellen Seite gibt es in unserer Arbeitsgruppe die wohl einmalige Möglichkeit, Proben in einem sehr weiten Frequenzbereich zu untersuchen. Ausgehend von normalen dc Transportmessungen (bis kHz) über Hochfrequenzsysteme (MHz), einem speziellen Mikrowellen-Spektrometer (GHz Bereich), einem Molekül-Laser sowie ein Fourier-spektrometer (fern-infrarote bis infrarote Strahlung) und mehreren Lasersystemen (abstimmbar vom nahen Infrarot bis ins Sichtbare) wird die ganze spektrale Bandbreite bis ins Sichtbare abgedeckt. Sämtliche Meßplätze sind mit Tieftemperatur-Kryostaten sowie supraleitenden Spulen zur Erzeugung hoher Magnetfelder ausgestattet. Diese Kombination experimenteller Möglichkeiten bietet eine ideale Grundlage zur Erforschung neuer physikalischer Eigenschaften dieser Halbleiter-Nanostrukturen.

Übersicht über die verschiedenen Forschungsprojekte

Feldeffektinduzierte Potentialübergitter in AlGaAs-GaAs Heterostrukturen

Mit Hilfe von sehr fein strukturierten Schottkygates werden von uns in den extrem reinen AlGaAs-GaAs Heteroschichtstrukturen künstliche abstimmbare Potentiallandschaften induziert. Die Skalenlänge der Potentialberge bzw. -täler liegt im sub-Mikrometerbereich und ist damit vergleichbar oder kleiner als typische Längenskalen von elementaren Festkörperanregungen, wie zum Beispiel Elektronen, Plasmonen oder Exzitonen. In diesem Jahr haben wir besonders erfolgreich Systeme mit sogenannten interdigitalen Feldeffektelektroden untersucht, in denen ein sehr weitgehend abstimmbares waschbrettförmiges Potentialübergitter induziert werden kann. Mit Kapazitätsmessungen konnten wir an Elektronensystemen, die in den Minima des Waschbrettpotentials eingeschlossen sind, deutlich die durch den künstlichen Einschluß hervorgerufene Quantisierung der Elektronenenergieniveaus nachweisen und detaillierte Untersuchungen im sogenannten "eindimensionalen Quantenlimes" durchführen. Mit Ferninfrarot-spektroskopischen Methoden wurden die Schwingungen des Elektronensystems im Einschlußpotential auf die Korrespondenz mit dem "Kohnschen Theorem" hin untersucht. Darüberhinaus zeigen unsere Untersuchungen der optoelektronischen Eigenschaften, daß das Verhalten von Exzitonen im Potentialübergitter sehr gut durch das Zusammenwirken von lateralem "Franz-Keldysh Effekt" und dem "Quantum Confined Stark Effekt" verstanden werden kann.

Laterale Supergitter auf Silizium für Infrarotanwendungen

In Metall-Oxid-Si-Halbleiterproben können mit Hilfe der Doppelgatetechnik (Stacked-Gate) starke laterale Potentialmodulationen an der Grenzfläche Oxid-Halbleiter realisiert werden. Für den Fall, daß das untere Gate als Streifengate und das obere als homogenes Gate abgeschieden wird, lassen sich durch Anlegen geeigneter Spannungen laterale n-i-p-i-Übergitter mit einer Potentialmodulation größer als die Volumenbandlücke erzeugen. Hier werden im Ortsraum indirekte Interbandübergänge unterhalb der Energielücke im nahen Infrarot erwartet. Erste Anzeichen dafür sehen wir in Photostromexperimenten.

Topographie und Herstellung von Halbleiternanostrukturen mit einem Rasterkraftmikroskop (AFM)

Mit Hilfe eines Rasterkraftmikroskops werden Halbleiternanostrukturen zerstörungsfrei charakterisiert, um tiefere Einsichten in das Wechselspiel zwischen Probenherstellung und der Messung physikalischer Größen an diesen Strukturen zu erlangen. Zugleich wird das AFM direkt zur Strukturierung von Halbleiterschichtsystemen verwendet, wobei die Feinheit der Spitze die kleinste erzielbare Strukturgröße bestimmt. Gegenwärtig können wir Löcher mit 15 nm Periode in Photolack erzeugen.

Elektron-Loch Systeme in InAs/GaSb

Das Materialsystem InAs/GaSb bietet die Möglichkeit, die Wechselwirkung zwischen zwei-dimensionalen Elektronen und Löchern zu untersuchen. Wir sind in der Lage, mittels zusätzlicher Barrieren aus AlSb, die Wellenfunktionen zu beeinflussen. Die in Santa Barbara, USA, gewachsenen Proben werden mit Zyklotronresonanz-, Intersubbandresonanz- und Magnetotransport-Experimenten erforscht.

Spektroskopie optisch angeregter Elektronen

Durch Ferninfrarot-Spektroskopie werden Elektronen im Leitungsband untersucht, die durch optische Interband-Absorption direkt aus dem Valenzband angeregt werden . Der Vorteil eines solchen Experiments besteht zum Teil darin, daß keine Dotierung gebraucht wird, um Elektronen im Leitungsband zu untersuchen. Ein Ziel ist, die Ferninfrarot-Absorption im Photolumineszenzsignal zu detektieren, um Ferninfrarot-Spektroskopie an kleinen Strukturen durchführen zu können.

Quantentransport in lateralen Übergittern

Auf AlGaAs/GaAs Heterostrukturen werden laterale zwei-dimensionale Übergitter mit Hilfe von Elektronenstrahl-Lithographie und einem definierten Naßätzschritt definiert. Sogenannte Antidot-Übergitter entstehen, wenn die Amplitude der erzeugten Potentialmodulation größer ist als die Fermienergie. Klassisch laufen die Elektronen im Magnetfeld auf chaotischen Trajektorien durch die Antidot-Landschaft und bleiben dabei oft an den Antidot-Potentialen hängen. Quantenmechanisch hat ein Elektron eine Phase und kann mit anderen Elektronen interferieren. Diese Interferenzphänomene konnten in Transport-Experimenten nachgewiesen werden in ihrem Wechselspiel mit den klassischen Trajektorien.

Magnetische Randzustände in parabolischen Quantentöpfen

In einem parabolischen Quantentopf kann die Besetzung der elektrischen Subbänder gezielt durch eine Gatespannung gesteuert werden. In einem Magnetfeld lassen sich damit alle Quantenzahlen (Subband, Spin und Landau) kontrollieren. Im Quanten-Hall-Bereich wird die Streuung zwischen Randzuständen, die mit den jeweiligen Quantenzahlen identifiziert werden können, untersucht. Experimentell findet man, daß durch die zusätzliche Möglichkeit der Intersubbandstreuung praktisch alle Randkanäle stärker koppeln.

Wechselwirkung akustischer Oberflächenwellen mit niedrigdimensionalen Elektronensystemen

Auf den piezoelektrischen Substraten gängiger Halbleiter-Heterostruktursysteme können kohärente und monochromatische akustische Oberflächenwellen mit Frequenzen bis hinauf in das GHz Regime erzeugt werden. Die entsprechenden akustischen Wellenlängen werden dann kleiner als 1 um. Wir studieren die Wechselwirkung solcher Oberflächenwellen mit niedrigdimensionalen Elektronensystemen, die sich als ein extrem empfindliches und unkonventionelles Werkzeug zur Untersuchung der dynamischen Leitfähigkeit [[sigma]]([[omega]],k) herausstellt. So untersuchen wir z.B. die Dynamik des quantisierten und des fraktionellen Halleffektes durch Messungen der Absorption und Geschwindigkeitsänderung der akustischen Oberflächenwellen und den sogenannten akusto-elektrischen Effekt bei Anwesenheit eines vollständig quantisierten Elektronensystems. Die Eignung akustischer Oberflächenwellen zu einer dynamischen lateralen Modulation der Ladungsträgerdichte, das Studium akusto-optischer Effekte und eventuelle technologische Anwendungen kombinierter akusto-elektronischer Bauelemente stellen weitere Schwerpunkte unserer Forschung auf diesem Gebiet dar.

Elektronensysteme in maßgeschneiderten Quantentöpfen

Moderne Kristallwachstumsverfahren wie die Molekularstrahlepitaxie erlauben heutzutage die Realisierung von nahezu beliebigen Verläufen von Valenz- und Leitungsbandkanten ausgewählter Halbleiterschichtsysteme. Wir konzentrieren uns auf die Untersuchung der kollektiven Eigenschaften von niedrigdimensionalen Elektronensystemen in solchen künstlichen Halbleiterstrukturen. Ein prominentes Beispiel ist der parabolische Quantentopf, in dem in guter Näherung das Modellsystem des freien Elektronengases in einem homogenen positiven Ladungshintergrund (Jellium) realisiert werden kann. Es stellt sich heraus, daß die spektroskopische Untersuchung eines solchen Elektronensystems sehr viele Analogien zum kollektiven Response sogenannter Quantendrähte und -punkte ergibt, deren Realisierung jedoch technologisch ungleich aufwendiger ist. Einen weiteren Schwerpunkt unserer Untersuchungen stellt das Studium gekoppelter Elektronensysteme in solchen maßgeschneiderten Quantentöpfen dar. Hier konzentrieren wir uns auf die Erforschung relevanter Kopplungsmechanismen wie den Tunneleffekt und deren Einfluß auf den kollektiven Response des Elektronensystems.

Physik und Technologie nichtparabolischer Schmalbandhalbleiter

Die relativ kleine Energielücke einiger Halbleiter wie z.B. InAs führt durch die starke Kopplung benachbarter Bänder zu einer ausgeprägten Nichtparabolizität der Energie-Impuls Dispersionsrelation. Diese äußert sich zum Beispiel in einer deutlichen Energieabhängigkeit der effektiven Masse der Ladungsträger in solchen Systemen. Wir konzentrieren uns beim Studium solcher nichtparabolizitätsbedingten Effekte auf das relativ neue Materialsystem InAs/AlSb, in dem darüber hinaus die zur Zeit tiefsten Quantentöpfe einer Halbleiterschichtstruktur realisiert werden können. Neben der physikalisch ausgesprochen interessanten Nichtparabolizität des Elektronensystems in InAs Quantentöpfen stellt dieses Material auch einen hochinteressanten Vertreter für technologische Anwendungen dar. Hier interessiert uns insbesondere der photonische Response im Infraroten ([[lambda]] ~ 2-10um). Denkbare Anwendungen wären z.B. Infrarot-Detektoren, Modulatoren oder Schalter in diesem interessanten Frequenzbereich. In enger Zusammenarbeit mit einer Forschungsgruppe in den USA (Prof. Krömer, Santa Barbara) entwickeln wir neue geeignete Schichtstrukturen, die in Hinsicht auf diese Anwendungen optimiert und charakterisiert werden.

Dynamische Leitfähigkeit von lateral strukturierten Elektronensystemen im Millimeterwellen-Regime

Das kollektive Anregungsspektrum von lateral strukturierten Elektronensystemen in Form von Quantenpunkten und -drähten wird in jüngster Zeit zunehmend untersucht. Insbesondere interessiert hierbei zum einen das Spektrum einer einzelnen, isolierten Struktur, zum anderen auch die gegenseitige Beeinflussung eng benachbarter Elektronensysteme. Die Herstellung relativ großer Systeme (d~10um) gestattet es, einer einzelnen Struktur mithilfe lithografischer Verfahren noch eine eindeutige Form zu geben (z.B. Kreise, Ellipsen, Quadrate...) und dann z.B. den Einfluß der äußeren Form des Elektronensystems auf seinen kollektiven Response im Millimeterwellen Regime zu studieren. Auch die Wechselwirkung einzelner eng benachbarter Systeme kann bei diesen Strukturgrößen durch Wahl geeigneter Geometrien noch eindeutig untersucht werden.

Coulomb-Blockade Phänomene in Quanten-Dots

Die Transport-Eigenschaften von Quantendot-Strukturen werden bei tiefen Temperaturen durch sogenannte Ein-Elektronen-Effekte dominiert. Die Anzahl der auf einem Dot vorhandenen Elektronen ist in Einheiten der Elementarladung quantisiert: diese Tatsache in Verbindung mit der geringen Kapazität des Quantendots führt zur Coulomb-Blockade des Transports durch den Dot. Wir haben systematische Untersuchungen solcher Coulomb-Blockade Effekte bei Millikelvin Temperaturen durchgeführt. Hierbei wurde insbesondere der Einfluß eines Magnetfeldes auf der inneren elektronischen Struktur des Dots studiert. Die selbst-konsistente Dichteverteilung modifiziert die Coulomb-Blockade Effekte und kann mit Hilfe eines Phasendiagramms gut erklärt werden. Ähnliche Phasendiagramme werden nun eingesetzt um die Coulomb-Blockade Effekte in Doppel-Quantendot-Strukturen zu verstehen.

Hochfrequenz-Eigenschaften von Quanten-Punktkontakte:

Die nichtlinearen Transporteigenschaften in ballistischen Quanten-Punktkontakten sind inzwischen wohl verstanden. Wir haben diese Nichtlinearitäten eingesetzt, um bei Frequenzen im GHz-Bereich Signale zu mischen. Wir haben den ersten Nachweis des Mischens in einem einzelnen Punktkontakt geliefert und haben parallele Anordnungen entwickelt, um die HF-Ankopplung und Mischleistung zu maximieren.

Gitterpräparation für Röntgenbeugungsexperimente

Für Röntgenbeugungsexperimente an Oberflächengittern wurden Gitter auf Silizium und GaAs mit Submillimeter-Perioden durch holographische Lithographie und anschließendem Trocken- und Naßätzen hergestellt und mit einem Rasterkraft-Mikroskop charakterisiert. Die anschließenden Röntgenbeugungsexperimente wurden in den Gruppen von Prof. J. Peisl (LMU) und Prof. W. Press (Uni Kiel) durchgeführt.

Abgeschlossene Diplomarbeiten im Jahre 1994

  1. Andreas Koll,
    "Optische Spektroskopie an lateral feldeffektmodulierten Quantentöpfen"

  2. Michael Hartig,
    "Millimeterwellen-Spektroskopie an quasi-zweidimensionalen Mikrostrukturen"

  3. Florian Kaesen,
    "Quanteneffekte der Zyklotronresonanz in zweidimensionalen Elektronengasen auf Silizium"

  4. Peter M. Schütterle,
    "Ferninfrarotspektroskopische Untersuchungen des Überganges zwischen Dot-, Antidot- und dichtemodulierten zweidimensionalen Elektronensystemen"

  5. Christian Schwarz,
    "Laterale Strukturierung parabolischer Quantentröge"

  6. Roman Reß,
    "Hochfrequenz-Mischexperimente an parallelen Punktkontakten"

  7. Philipp Kral,
    "Intersubbandstreuung in parabolischen Quantentöpfen"

  8. Barbara Jager,
    "Magnetotransport und Photoleitung an ionenstrahlstrukturierten Quantendrähten"

  9. Alexander Mattheus,
    "Elektrische Charakterisierung von MOCVD-Titannitrid-Schichten"

  10. Frank Hofmann,
    "Transportuntersuchungen an einzelnen und gekoppelten Quanten- dotstrukturen"

Abgeschlossene Doktorarbeiten im Jahre 1994

  1. Hermann Drexler,
    "Kapazitäts- und Ferninfrarotspektroskopie an Quantendrähten"

  2. Andreas Huber,
    "Infrarotspektroskopie an lateralen n-i-p-i Übergittern in Si MOS-Proben"

  3. Thomas Heinzel,
    "Ein-Elektron-Ladeeffekte an GaAs-AlGaAs-Heterostrukturen definierten Quantenpunkten"

  4. Andreas Schmeller,
    "Optische Eigenschaften homogener und lateral modulierter Quantentöpfe im nahinfraroten Spektralbereich"

  5. Ralf Schuster,
    "Elektronen-Trajektorien in Antidot-Übergittern: klassisches Chaos und Quantentransport"

Abgeschlossene Habilitationen im Jahre 1994

  1. Achim Wixforth,
    "Dynamische Leitfähigkeit von im Ortsraum parabolischen und im Impulsraum nichtparabolischen Halbleiterstrukturen"

  2. Wolfgang Hansen,
    "Maßgeschneiderte laterale Einschlußpotentiale in niederdimensionalen Elektronensystemen in GaAs/AlGaAs Heterostrukturen"

  3. Klaus Ensslin,
    "Spektroskopie von Elektronen-Trajektorien und Energiezuständen in Halbleiter-Nanostrukturen mit Hilfe von Transport-Experimenten"

Eingeladene Vorträge auf Tagungen, Symposien und Schulen (1994)

  1. K. Ensslin
    "Antidot Superlattices: Classical Chaos and Quantum Transport"
    IV Condensed Matter Summer Workshop, Symposium on Incommensurate Matter (Santiago, Chile, 1994)

  2. W. Hansen
    "Spectrocopy on Field-Effect Induced Superlattices"
    8th International Winterschool on "New Developments in Solid State Physics: Interaction and Scattering Phenomena in Nanostructures" (Mauterndorf, Österreich, 1994)

  3. K. Ensslin
    "Antidot Superlattices: Classical Chaos and Quantum Transport"
    Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (Münster, 1994)

  4. H. Drexler
    "Quantum Wires with Widely Tunable Confining Potential in the Quantum Limits"
    14th General Conf. der EPS, CMD-14 (Madrid, 1994)

  5. J. P. Kotthaus
    "Tunable Quantum Dots"
    "Nanometer Days" , Symp. Swedish Vacuum Society (Lund, Sweden 1994)

  6. K. Ensslin
    "Electron Transport in Antidot Superlattices: Classical Chaos and Quantum Transport"
    XXIII International School on Physics of Semiconductor Compounds (Jaszowiez, Poland, 1994)

  7. J. P. Kotthaus
    "Ballistic Transport in Lateral Superlattices"
    International Symposium on Chaos and Mesoscopic Systems, MPI (Dresden, 1994)

  8. R. Schuster
    "Phase-Coherent Electron Transport in Finite Antidot Lattices"
    International Symposium on Chaos and Mesoscopic Systems, MPI (Dresden, 1994)

  9. H. Drexler
    "Capacitance and Far-Infrared Studies on Laterally Confined Electron Systems"
    International Mini-Conference on "Electronics of Metallic and Semiconductor Clusters" (Warsaw, Poland, 1994)

  10. K. Ensslin
    "Quantum Transport in Antidot lattices"
    Workshop and Conference on Quantum Transport in Nanostructures, ICTP (Trieste, Italy 1994)

  11. D. A. Wharam
    "Coulomb blockade in quantum dots"
    Workshop and Conference on Quantum Transport in Nanostructures, ICTP (Trieste, Italy, 1994)

  12. R.Schuster
    "Antidot Superlattices: Classical Chaos and Quantum Transport"
    ECAMI Workshop on Nanostructures and Mesoscopic Systems (Ottawa, Canada, 1994)

  13. K. Ensslin
    "Phase-Coherent Electrons Travelling along Classical Electron Trajectories"
    22nd International Conference on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Canada, 1994)

  14. D. A. Wharam
    "Quantentransportexperimente an Punktkontakten"
    Mesoskopische Elektronische Phänomene, DPG Schule für Physik, (Bad Honnef, Germany, 1994).

  15. W. Hansen
    "Optics of Lateral MISFET-Superlattices"
    Phantoms network workshop PHASDOM94 (Dublin 1994)

  16. K. Ensslin
    "Quantum Transport in Antidot Superlattices"
    Phantoms network workshop PHASDOM94 (Dublin 1994)

  17. J. P. Kotthaus
    "Electronic and Optical Properties of Field-effect-induced Quantum Wires"
    Technion Advanced Research Workshop on Free Electrons in Semiconductor Nanostructures (Ginosar, Israel 1994)

  18. D. A. Wharam
    "Transport Properties of Single and Coupled Quantum Dot Systems"
    IOP Meeting "Condensed Matter and Material Physics" (Warwick, England, 1994).

Publikationen im Jahre 1994

  1. A. Esslinger, R. W. Winkler, C. Rocke, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, W. Nickel, W. Schlapp, and R. Lösch
    "Ultrasonic Approach to the Integer and Fractional Quantum Hall Effect"
    Surf. Sci. 305, 83-86 (1994).

  2. A. Wixforth
    "Electronic Excitations in Parabolically Confined Electron Systems"
    Surf. Sci. 305, 194-201 (1994).

  3. A. Wixforth, M. Kaloudis, C. Rocke, K. Ensslin, M. Sundaram, J. H. English, and A.C. Gossard
    "Dynamic Response of Parabolically Confined Electron Systems"
    Semiconductor Science and Technology 9, 215-240 (1994).

  4. K. Ensslin, H. Baum, P. F. Hopkins, and A. C. Gossard
    "Wave Function Modification via Controlled Potential Pertubation"
    Surf. Sci. 305, 317-321 (1994).

  5. G. Hertel, H. Drexler, W. Hansen, A. Schmeller, J. P. Kotthaus, M. Holland, and
    S. P. Beaumont
    "Widely Tuneable Quantum Wire Arrays in MISFET-type Heterojunctions with a Stacked Gate"
    Solid State Electronics 37, 1289-1292 (1994).

  6. C. Lettau, M. Wendel, A. Schmeller, W. Hansen, J. P. Kotthaus, G. Böhm, G. Weimann, and M. Holland
    "Comparison of Far-Infrared- and DC-Conductivity of Electron-Systems Laterally Patterned by Low-Energy Ion Beam Exposure"
    Solid State Electronics 37, 1207-1210 (1994).

  7. T. Utzmeier, T. Schlösser, K. Ensslin, J. P. Kotthaus, C. R. Bolognesi, C. Nguyen, and H. Kroemer
    "Lateral Potential Modulation in InAs/AlSb Quantum Wells by Wet Etching"
    Solid State Electronics 37, 575-578 (1994).

  8. K. Ensslin, W. Hansen, and J. P. Kotthaus
    "Electron Motion in Lateral Superlattices on Semiconductors"
    in "Molecular Electronics Handbook", Eds. V. May, G. Mahler, and M. Schreiber (Dekker, New York, 1994) in Druck.

  9. H. Drexler, W. Hansen, S. Manus, J. P. Kotthaus, M. Holland, and S. P. Beaumont
    "One-Dimensional Electron Channels in the Quantum Limit"
    Phys. Rev B49, 14074-14077 (1994).

  10. A. Schmeller, W. Hansen, J. P. Kotthaus, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Franz-Keldysh Effect in a Two-Dimensional System"
    Appl. Phys. Lett. 64, 330-332 (1994).

  11. K. Ensslin and R. Schuster
    "Fabrication and Electronic Properties of Antidot Superlattices"
    in "III-V Semiconductor Quantum Systems", Ed. K. Ploog (The Institution of Electrical Engineering, IEE, 1994), in Druck.

  12. R. Schuster, K. Ensslin, D. Wharam, S. Kühn, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Phase Coherent Electrons in a Finite Antidot Lattice"
    Phys. Rev. B49, 8510-8513 (1994).

  13. M. Tolan, W. Press, F. Brinkop, and J. P. Kotthaus
    "X-Ray Diffraction from Laterally Structured Surfaces: Crystal Truncation Rods"
    Journal of Applied Physics 75, 7761-7769 (1994).

  14. H. Drexler, W. Hansen, J. P. Kotthaus, M. Holland, and S. P. Beaumont
    "Far-Infrared Photocurrent of Quantum Wires"
    Appl. Phys. Lett. 64, 2270-2272 (1994).

  15. T. Heinzel, D. A. Wharam, F. M. Aguiar, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Current-Voltage-Characteristics of Quantum Point Contacts in the High Bias Regime"
    Semiconductor Science and Technology 9, 1220-1225 (1994).

  16. W. Gödel, S. Manus, D. A. Wharam, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Ballistic Point Contacts as Microwave Mixers"
    Electronics Letters 30, 977-979 (1994).

  17. C. Lettau, M. Wendel, A. Schmeller, W. Hansen, J. P. Kotthaus, W. Klein, G. Böhm, G. Tränkle, and G. Weimann
    "DC- and High Frequency-Transport in Quasi-1D Quantum Wires with Rough Boundaries"
    Phys. Rev. B50, 2432-2442 (1994).

  18. T. Heinzel, S. Manus, D. A. Wharam, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Modulation of Coulomb Blockade Oscillations by Coherent Resonant Tunnelling"
    Europhysics Letters 26, 689-694 (1994).

  19. W. Hansen, A. Schmeller, H. Drexler, J. P. Kotthaus, M. Holland, G. Tränkle, G. Böhm, and G. Weimann
    "Spectrocopy on Field-Effect Induced Superlattices"
    Semiconductor Science and Technology 9, 1946-1952 (1994).

  20. H. Drexler, W. Hansen, S. Manus, J. P. Kotthaus, M. Holland, and S. P. Beaumont
    "Quantum Wires with a Widely Tunable Confining Potential"
    Physica Scripta T55, 65-71 (1994).

  21. C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, C. R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Brar, and H. Kroemer
    "Energy-Dependent Cyclotron Mass in InAs/AlSb Quantum Wells"
    Semiconductor Science and Technology 9,1580-1583 (1994).

  22. R. Schuster and K. Ensslin
    "Antidot-Superlattices: Classical Chaos and Quantum Transport"
    Festkörperprobleme 34, pp.195-218 (Vieweg, Braunschweig 1994).

  23. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J. P. Kotthaus, and P. M. Petroff
    "Spectroscopy of Quantum Levels in Charge-Tunable InGaAS Quantum dots"
    Phys. Rev. Lett. 73, 2252-2255 (1994).

  24. D. A. Wharam, T. Heinzel, S. Manus, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G.Tränkle, and G. Weimann
    "High Magnetic Field Investigations of Quantum Dots"
    Superlattices and Microstructures 15, 37-40 (1994).

  25. M. Wendel, S. Kühn, H. Lorenz, J. P. Kotthaus, and M. Holland
    "Nanolithography with an Atomic Force Microscope for Integrated Fabrication of Quantum Electronic Devices"
    Appl. Phys. Lett. 65, 1775-1777 (1994).

  26. H. Drexler, W. Hansen, S. Manus, J. P. Kotthaus, M. Holland, and S. P. Beaumont
    "Quantum Wires in the One-Dimensional Quantum Limit"
    Proc. 185th Meeting of the Electrochemical Society, San Francisco, 1994.

  27. R. Schuster, G. Ernst, K. Ensslin, M. Entin, M. Holland, G. Böhm, and W. Klein
    "Experimental Characterization of Electron Trajectories in AntidotLattices"
    Phys. Rev. B50, 8090-8093 (1994).

  28. D. Többen, M. Holzmann, S. Kühn, H. Lorenz, G. Abstreiter, J. P. Kotthaus, and F. Schäffler
    "Electron Transport through Antidot Superlattices in Si/Si0.7Ge0.3 Heterostructures"
    Phys. Rev. B50, 8853-8856 (1994).

  29. C. Rocke, S. Manus, A. Wixforth, M. Sundaram, J. H. English, and A. C. Gossard
    "Voltage Tunable Acoustoelectric Interaction in GaAs/AsGaAs Heterojunctions"
    Appl. Phys. Lett. 65, 2422-2424 (1994).

  30. D. Többen, M. Holzmann, S. Kühn, H. Lorenz, G. Abstreiter, J. P. Kotthaus, and F. Schäffler
    "Magnetotransport of Electrons in Arrays of Antidots Imposed upon Si/Si0.7Ge0.3 Heterostructures"
    Proc. 11th Conference "High Magnetic Fields in Semiconductor Physics", Boston,1994.

  31. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J. P. Kotthaus, and P. M. Petroff

    "Spectroscopy on Charge Tunable InGaAs Quantum Dots with Few Electrons"
    Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, 1994.

  32. R. Schuster, K. Ensslin, D. A. Wharam, V. T. Dolgopolov, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Phase-Coherent Electrons Travelling along Classical Electron Trajectories"
    Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, 1994.

  33. R. Jurk, K. Ensslin, P.F. Hopkins, and A. C. Gossard
    "Intersubband Scattering as a Tool to Study the Symmetry Properties of a Parabolic Quantum Well"
    Superlattices and Microstructures 15, 325-327 (1994).

  34. C. Gauer, J. Scriba, R. J. Warburton, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, C. R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Brar, and H. Kroemer
    "Cyclotron Resonance in InAs/AlSb Quantum Wells"
    Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond., Vancouver,1994.

  35. A. Schmeller, A. Govorov, W. Hansen, J. P. Kotthaus, W. Klein, G. Böhm, G. Tänkle, and G. Weimann
    "Excitons in Controlled Potential Landscapes"
    Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, 1994.

  36. K. Ensslin and R. Schuster
    "Antidot Superlattices: Classical Trajectories and Phase Coherent Electrons"
    Proc. ICTP-NATO Workshop on "Submicron Quantum Dynamics", Triest, 1994.

  37. D. A. Wharam and T. Heinzel
    "Coulomb Blockade in Quantum Dots"
    Proc. ICTP-NATO Workshop on "Submicron Quantum Dynamics", Triest, 1994.

  38. C. Dahl, S. Manus, J. P. Kotthaus, H. Nickel, and W. Schlapp
    "Edge Magnetoplasmons in Single 2D Electron disks at Microwave Frequencies: Determination of the Lateral Depletion Length"
    Appl. Phys. Lett., in Druck.

  39. M. Tolan, D. Bahr, J. Süßenbach, W. Press, F. Brinkop, and J. P. Kotthaus
    "Coherence Length Determination of X-rays with Laterally Structured Surfaces"
    Physica B198, 55-57 (1994).

  40. M. Tolan, W. Press, F. Brinkop, and J. P. Kotthaus
    "X-ray Diffraction from Laterally Structured Surfaces: Total External Reflection"
    Phys. Rev. B, in Druck.

  41. M Hartung, A. Berger, A. Wixforth, P. F. Hopkins, J. H. English, and A. C. Gossard
    "Quantum Interference Effects in the Collective Response of Asymmetric Coupled Quantum Wells"
    Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, 1994.

  42. A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, G. V. Kravchenko, M. Wendel, R. Schuster, J. P. Kotthaus, R. J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog, H. Nickel, and W. Schlapp
    "Percolation Metal-Insulator Transitions in the Two-Dimensional Electron System of AlGaAs/GaAs Heterostructures
    Phys. Rev. Lett.73,3141-3144 (1994).

  43. T. Salditt, H. Rhan, T. H. Metzger, J. Peisl, R. Schuster, and J. P. Kotthaus
    "X-ray Coherence and Ultra Small Angle Resolution at Grazing Incidence and Exit Angles"
    Z. Phys. B96, 227-230 (1994).

  44. T. Heinzel, D.A. Wharam, J.P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Periodic Modulation of Coulomb-blockade Oscillations in High Magnetic Fields"
    , Phys. Rev. B50, 15113-15119 (1994).

  45. T. Heinzel,D. A. Wharam, S. Manus, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann
    "Periodic Modulations of Coulomb Oscillations in a Quantum Dot at High Magnetic Fields"
    Edition Frontieres, in Druck.


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