Freitag, 19.11.1999, 9:00


Eva Höhberger
, LMU

"Magnetotransport in lateralen Halbleiteruebergittern unter Einfluss von Symmetriebruch"


Mittels zweier elektronenstrahllithographisch definierter, kammartig
strukturierter Gates, die gegeneinander versetzt ineinandergreifen, wurde
im zweidimensionalen Elektronensystem einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur ein
eindimensionales laterales Übergitter realisiert, dessen
Symmetrieeigenschaften durch die angelegten Gatespannungen variiert werden
können.
Eine Analyse der im Magnetolängswiderstand auftretenden
Kommensurabilitätsoszillationen bestätigt die zur Unterscheidung
verschiedener Symmetrieen notwendige Existenz höherer Harmonischer der
Potentialmodulation. Durch einen Vergleich der Meßdaten mit einer
Modellrechnung können sowohl Übergitter mit räumlicher
Inversionssymmetrie als auch ratschenförmige Potentialmodulationen
unterschieden werden.
Die Form der Strom-Spannungs-Kennlinie weist im schwach modulierten
Ratschenpotential im nichtlinearen Transportregime auf eine Gleichrichtung
von Ladungsträgern hin.
Mithilfe einer zeitlich periodisch veränderlichen, starken
Potentialmodulation konnte ferner ein Nettostrom durch die Struktur erzeugt
werden. Seine Abhängigkeit von Frequenz, Modulationsstärke und
Probengeometrie läßt sich im Rahmen eines einfachen Modells einer
adiabatischen Elektronenpumpe verstehen.